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論文・著書情報
タイトル
和文:
MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの高密度化
英文:
High density InAs quantum dots on GaInNAs buffer layer grown by MOCVD
著者
和文:
仙石知行
,
宮本智之
,
鈴木亮一郎
,
根本幸祐
,
田辺 悟
,
小山二三夫
.
英文:
Tomoyuki Sengoku
,
Tomoyuki Moyamoto
,
Ryoichiro Suzuki
,
Kousuke Nemoto
,
Satoru Tanabe
,
Fumio Koyama
.
言語
Japanese
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
出版年月
2009年3月
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
第56回応用物理学関連連合講演会
英文:
The 56th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies
開催地
和文:
つくば
英文:
Tsukuba
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.