MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの高密度化

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOCVD法によるGaInNAsバッファ層上InAs量子ドットの高密度化
英文:	High density InAs quantum dots on GaInNAs buffer layer grown by MOCVD

著者

和文:	仙石知行, 宮本智之, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 田辺悟, 小山二三夫.
英文:	Tomoyuki Sengoku, Tomoyuki Moyamoto, Ryoichiro Suzuki, Kousuke Nemoto, Satoru Tanabe, Fumio Koyama.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2009年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第56回応用物理学関連連合講演会
英文:	The 56th Spring Meeting of Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	つくば
英文:	Tsukuba