Increment of voltage gain of InP/InGaAs Hot Electron Transistors controlled by insulated gate

H. Saito; Y. Miyamoto; K. FUruya

doi:10.1109/INOW.2008.4634575

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Increment of voltage gain of InP/InGaAs Hot Electron Transistors controlled by insulated gate

著者

和文:	齋藤尚史, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	H. Saito, Y. Miyamoto, K. FUruya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Nano-Optoelectronics Workshop, 2008. i-NOW 2008. International

巻, 号, ページ

355

出版年月

2008年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	International Nano-Optoelectronic Workshop (iNOW 2008)

開催地

和文:
英文:	Tokyo/Saiko/Hayama

DOI

https://doi.org/10.1109/INOW.2008.4634575

アブストラクト

An insulated gate was introduced in hot electron transistors, in which hot electrons are propagated only in the intrinsic region after extraction from a heterostructure launcher. Voltage gain is increased by improved fabrication process.

Home

各種検索

サポート

T2R2について

関連リンク

論文・著書情報