絶縁ゲート制御型ホットエレクト ロントランジスタの電圧利得向上

論文・著書情報

タイトル

和文:	絶縁ゲート制御型ホットエレクトロントランジスタの電圧利得向上
英文:	Voltage gain increase of Hot Electron Transistor controlled by insulated gate

著者

和文:	齋藤尚史, 孟伶我, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Hisashi Saito, Maeng Ryoung-A, Yasuyuki Miyamoto, Kazuhito Furuya.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

1471

出版年月

2008年3月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第55回応用物理学関係連合研究会
英文:	The 55th Spring Meeting, 2008; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	千葉県
英文:	Chiba, Japan

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