超薄層ベースInP 系HBT におけるGraded Base によるベース走行時間短縮

論文・著書情報

タイトル

和文:	超薄層ベースInP 系HBT におけるGraded Base によるベース走行時間短縮
英文:	Reduction of the Base Transit Time in Ultra-thin Graded-Base InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistor

著者

和文:	上澤岳史, 山田真之, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Takafumi Uesawa, Masayuki Yamada, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2009年1月

出版者

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会議名称

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英文:	Technical Report of IEICE, Electron Devices

開催地

和文:	東京
英文:	Tokyo, Japan