EB露光により作製したエミッタ幅200nmのInP/InGaAs SHBT

論文・著書情報

タイトル

和文:	EB露光により作製したエミッタ幅200nmのInP/InGaAs SHBT
英文:	InP/InGaAs SHBTs with 200nm wide emitter fabricated by EB lithography

著者

和文:	高橋新之助, 山下浩明, 小林嵩, 磯谷優治, 鈴木裕之, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Shinnosuke Takahashi, Hiroaki Yamashita, Takashi Kobayashi, Yuji Isogai, Hiroyuki Suzuki, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
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巻, 号, ページ

出版年月

2008年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	2008年秋季第69回応用物理会学術講演会
英文:	The 69th Autumn Meeting, 2008; The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	愛知県春日井市
英文:	Aichi, Japan