超薄層ベースInP/GaInAs HBTの組成傾斜によるベース走行時間短縮

論文・著書情報

タイトル

和文:	超薄層ベースInP/GaInAs HBTの組成傾斜によるベース走行時間短縮
英文:	Reduction of the base transit time in ultra-thin graded base InP/GaInAs Heterojunction Bipolar Transistor

著者

和文:	上澤岳史, 山田真之, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Takafumi Uesawa, Masayuki Yamada, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2009年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	2009年春季第56回応用物理学関係連合講演会
英文:	The 56th Spring Meeting, 2009; The Japan Society of Applied Physics and Related Societies

開催地

和文:	茨城県つくば市
英文:	Ibaraki, Japan