High-k ゲート絶縁膜を用いたInxGa1-xAs MOS構造の研究

論文・著書情報

タイトル

和文:	High-k ゲート絶縁膜を用いたInxGa1-xAs MOS構造の研究
英文:

著者

和文:	船水清永, Yueh-Chin Lin, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, Edward Yi Chang, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Kiyohisa Funamizu, Yueh-Chin Lin, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, Edward Yi Chang, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	第56回応用物理学関係連合講演会予稿集
英文:

巻, 号, ページ

No. 2 pp. 837

出版年月

2009年7月

出版者

和文:	応用物理学会
英文:

会議名称

和文:	第56回応用物理学関係連合講演会
英文:

開催地

和文:	筑波大学
英文: