Engineering of Heterostructured Tunnel Barrier for Non-Volatile Memory Applications: Potential of Pr-based Heterostructured Barrier as a Tunneling Oxide

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Engineering of Heterostructured Tunnel Barrier for Non-Volatile Memory Applications: Potential of Pr-based Heterostructured Barrier as a Tunneling Oxide

著者

和文:	栗原智之, 長浜陽平, 小林大助, 新倉浩樹, 土屋良重, 水田博, 野平博司, 内田建, 小田俊理.
英文:	Tomoyuki Kurihara, Yohei Nagahama, Daisuke Kobayshi, Hiroki Niikura, Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, Hiroshi Nohira, Ken Uchida, Shunri Oda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2009年6月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop

開催地

和文:
英文:	kyoto