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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Activated Boron and its Concentration Profiles in Heavily Doped Si Studied by Soft X-ray Photoelectron Spectroscopy and Hall Measurements 
著者
和文: 筒井一生, T Matsuda, M Watanabe, Cheng-Guo Jin, 佐々木雄一朗, 水野文二, E Ikenaga, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, T Maruizumi, 野平博司, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: KAZUO TSUTSUI, T Matsuda, M Watanabe, Cheng-Guo Jin, 佐々木雄一朗, Bunji Mizuno, E Ikenaga, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, T Maruizumi, Hiroshi Nohira, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Journal of Applied Physics 
巻, 号, ページ Vol. 104        093709
出版年月 2008年 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.1063/1.3014033

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