Fabrication Technique of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloys for Half-metallic Source/Drain Spin MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication Technique of Si- and Ge-based Full-Heusler Alloys for Half-metallic Source/Drain Spin MOSFETs

著者

和文:	高村陽太, 西島輝, 長浜陽平, 中根了昌, 菅原聡.
英文:	Y. Takamura, A. Nishijima, Y. Nagahama, R. Nakane, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	The 4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC4)

巻, 号, ページ

paper P-19

出版年月

2008年4月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 4th Intl. Nanotechnology Conf. on Communication and Cooperation (INC4)

開催地

和文:
英文:	Tokyo, Japan