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論文・著書情報


タイトル
和文:窒化処理とAL2O3堆積膜を用いた4H-SiC MOSFETの作製と評価 
英文: 
著者
和文: 竹崎慶太郎, 日野史郎, 三浦成久, 大森達夫, 徳光永輔.  
英文: Keitarou Takesaki, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, EISUKE TOKUMITSU.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:第70回 応用物理学会学術講演会 
英文: 
巻, 号, ページ     10p-M-21   
出版年月 2009年9月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第70回 応用物理学会学術講演会 
英文: 
開催地
和文:富山大学五福キャンパス 
英文: 

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