再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	再成長ソースを有するアンドープチャネルInP/InGaAs MOSFETの電流特性
英文:	I-V characteristics of undoped channel InP/InGaAs MOSFET with regrown source region

著者

和文:	若林和也, 金澤徹, 齋藤尚史, 田島智宣, 寺尾良輔, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Kazuya Wakabayashi, Toru Kanazawa, Hisashi Saito, Tomonori Tajima, Ryosuke Terao, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 1299

出版年月

2009年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第70回応用物理学会学術講演会
英文:	The 70th Autumn Meeting, 2008; The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	富山県富山市
英文:	Toyama