分子ビーム成長法による1.5μm帯GaInAsSb系量子ドット形成とレーザ応用に関する研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	分子ビーム成長法による1.5μm帯GaInAsSb系量子ドット形成とレーザ応用に関する研究
英文:	分子ビーム成長法による1.5μm帯GaInAsSb系量子ドット形成とレーザ応用に関する研究

著者

和文:	松浦哲也.
英文:	TETSUYA MATSUURA.

種別

種別:	学位論文(修士)
国名:

言語

学位授与組織

東京工業大学

報告番号

学位授与日

2004/03/--

審査員

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