Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET

論文・著書情報

タイトル

和文:	Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFET
英文:	InP/InGaAs composite channel MOSFET with Al2O3 gate dielectric

著者

和文:	金澤徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 田島智宣, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Toru Kanazawa, kazuya wakabayashi, Hisashi Saito, Ryousuke Terao, Tomonori Tajima, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会技術研究報告電子デバイス
英文:	IEICE Technical Report, Electron Devices

巻, 号, ページ

Vol. 109 No. 360 pp. 39-42

出版年月

2010年1月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	電子情報通信学会電子デバイス研究会
英文:	IEICE Technical Report, Electron Devices

開催地

和文:	東京
英文:	Tokyo, Japan