MOCVD成長によるSi上GaPの表面モフォロジーの成長条件依存性

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOCVD成長によるSi上GaPの表面モフォロジーの成長条件依存性
英文:	Growth condition dependence of surface morphology of GaP on Si substrate by MOCVD

著者

和文:	田辺悟, 鈴木亮一郎, 仙石知行, 根本幸祐, 西尾礼, 宮本智之.
英文:	Satoru Tanabe, Ryoichiro Suzuki, Tomoyuki Sengaku, Kousuke Nemoto, Rei Nishio, Tomoyuki Miyamoto.

言語

Japanese

掲載誌/書名

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巻, 号, ページ

出版年月

2009年9月

出版者

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会議名称

和文:	第70回応用物理学会学術講演会
英文:	The 70th Autumn Meeting of The Japan Society of Applied Physics

開催地

和文:	富山
英文:	Toyama