Charged defects reduction in gate insulator with multivalent materials

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Charged defects reduction in gate insulator with multivalent materials

著者

和文:	幸田みゆき, 梅澤直人, 角嶋邦之, 野平博司, パールハットアヘメト, 白石賢二, 知京豊裕, 山田啓作, 岩井洋.
英文:	Miyuki Kouda, Naoto Umezawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hiroshi Nohira, Ahmet Parhat, Kenji Shiraishi, 知京豊裕, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices

開催地

和文:
英文:	Tokyo Institute of Technology, Japan