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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Electrical Characteristics of HfO2 and La2O3 Gate Dielectrics for In0.53Ga0.47As MOS Structure 
著者
和文: 船水清永, 神田高志, Y.C.Lin, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, E.Y.Chang, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Kiyohisa Funamizu, Takashi Kanda, Y.C.Lin, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, E.Y.Chang, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2009年10月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:G-COE PICE International Symposium on Silicon Nano Devices 
開催地
和文: 
英文:Tokyo Institute of Technology, Japan 

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