ラジカル窒化によるLa<sub>2O</sub>3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果（ゲート絶縁膜、容量膜、機能幕及びメモリ技術）

論文・著書情報

タイトル

和文:	ラジカル窒化によるLa_2O3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果（ゲート絶縁膜、容量膜、機能幕及びメモリ技術）
英文:

著者

和文:	佐藤創志, 舘喜一, 宋在烈, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Soshi Sato, Kiichi Tachi, Jaeyeol Song, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会技術研究報告、SDM、シリコン材料・デバイス
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 107 No. 85 pp. 71-74

出版年月

2007年5月

出版者

和文:	電子情報通信学会
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会議名称

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開催地

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英文: