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論文・著書情報
タイトル
和文:
ラジカル窒化によるLa
2O
3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能幕及びメモリ技術)
英文:
著者
和文:
佐藤創志
,
舘喜一
,
宋在烈
,
角嶋邦之
,
パールハットアヘメト
,
筒井一生
,
杉井信之
,
服部健雄
,
岩井洋
.
英文:
Soshi Sato
,
Kiichi Tachi
,
Jaeyeol Song
,
Kuniyuki KAKUSHIMA
,
Ahmet Parhat
,
KAZUO TSUTSUI
,
Nobuyuki Sugii
,
takeo hattori
,
HIROSHI IWAI
.
言語
Japanese
掲載誌/書名
和文:
電子情報通信学会技術研究報告、SDM、シリコン材料・デバイス
英文:
巻, 号, ページ
Vol. 107 No. 85 pp. 71-74
出版年月
2007年5月
出版者
和文:
電子情報通信学会
英文:
会議名称
和文:
英文:
開催地
和文:
英文:
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.