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論文・著書情報


タイトル
和文:窒化処理とAl2O3堆積膜を用いた4H-SiC MOSFETの作製と評価 
英文:Fabrication and Characterization of 4H-SiC MOSFETs with nitrogenation and deposited Al2O3 film 
著者
和文: 竹崎慶太郎, 日野史郎, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔.  
英文: Keitarou Takesaki, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, EISUKE TOKUMITSU.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
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巻, 号, ページ        
出版年月 2009年12月 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第１８回講演会 
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開催地
和文:神戸国際会議場 
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