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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Fabrication of SB-MOSFETs on SOI Substrate Using Ni Silicide Containing Er Interlayer 
著者
和文: 細田亘, 小澤健児, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Wataru Hosoda, Kenji Ozawa, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ         pp. 1105-1110
出版年月 2010年3月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:China Semiconductor Technology International Conference 
開催地
和文: 
英文:Shanghai, China 

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