Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:界面にLa2O3 絶縁膜層を挿入したHf系high-kゲートMOSFETの評価 
英文: 
著者
和文: ダリューシュ ザデ, 佐藤創志, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: ダリューシュ ザデ, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:第57回応用物理学関係連合講演会講演予稿集 
英文: 
巻, 号, ページ         pp. 13-095
出版年月 2010年3月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第57回応用物理学関係連合講演会 
英文: 
開催地
和文:東海大学(神奈川県平塚市) 
英文: 

©2007 Tokyo Institute of Technology All rights reserved.