Properties of wide bandgap β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> semiconductros grown by molecular beam epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Properties of wide bandgap β-Ga₂O₃ semiconductros grown by molecular beam epitaxy

著者

和文:	大島孝仁, 鈴木悟仁, 新井直樹, 大平重男, 藤田静雄.
英文:	Takayoshi Oshima, Norihito Suzuki, Naoki Arai, SHigeo Ohira, Shizuo Fujita.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

MoC P44

出版年月

2007年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	34th International Symposium on Compound Semiconductors

開催地

和文:
英文:	Kyoto, Japan