分子線エピタキシー法によるβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 基板上へのβ-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> ステップフロー成長 | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	分子線エピタキシー法によるβ-Ga₂O₃ 基板上へのβ-Ga₂O₃ ステップフロー成長
英文:

著者

和文:	大島孝仁, 藤田静雄, 新井直樹, 鈴木悟仁, 大平重男.
英文:	Takayoshi Oshima, Shizuo Fujita, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

28a-W-1

出版年月

2008年3月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2008年春季第55回応用物理学会関係連合講演会

開催地

和文:
英文:	日本大学

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