Schottky barrier diode based on β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | T2R2 東京工業大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	Schottky barrier diode based on β-Ga₂O₃
英文:

著者

和文:	大島孝仁, 新井直樹, 鈴木悟仁, 大平重男, 藤田静雄.
英文:	Takayoshi Oshima, Naoki Arai, Norihito Suzuki, Shigeo Ohira, Shizuo Fujita.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

J7

出版年月

2008年7月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	第27回電子材料シンポジウム
英文:

開催地

和文:	ラフォーレ修繕寺，静岡県
英文:

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