Yttrium-scandium oxide as high-k gate dielectric for germanium metal-oxide-semiconductor devices

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Yttrium-scandium oxide as high-k gate dielectric for germanium metal-oxide-semiconductor devices

著者

和文:	M.K. Bera, 宋在烈, パールハットアヘメト, 角嶋邦之, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	M.K. Bera, Jaeyeol Song, Ahmet Parhat, Kuniyuki KAKUSHIMA, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY

巻, 号, ページ

Vol. 25 No. 6 065008

出版年月

2010年5月

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:
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DOI