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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Direct Contact of High-k/Si Gate Stack for EOT below 0.7 nm using LaCe-silicate Layer with Vfb controllability 
著者
和文: 角嶋邦之, 小柳友常, 来山大祐, 幸田みゆき, 宋在烈, 川那子高暢, M. Mamatrishat, 舘喜一, M. K. Bera, パールハットアヘメト, 野平博司, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 山田啓作, 岩井洋.  
英文: Kuniyuki KAKUSHIMA, Tomotsune Koyanagi, 来山大祐, Miyuki Kouda, Jaeyeol Song, Takamasa Kawanago, M. Mamatrishat, Kiichi Tachi, M. K. Bera, Ahmet Parhat, Hiroshi Nohira, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2010年6月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:2010 Symposium on VLSI Technology 
開催地
和文: 
英文:Honolulu, USA 

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