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論文・著書情報


タイトル
和文:EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討 
英文: 
著者
和文: 来山大祐, 小柳友常, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: 来山大祐, Tomotsune Koyanagi, Kuniyuki KAKUSHIMA, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文:電子情報通信学会技術研究報告 pp.43-48 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2010年6月 
出版者
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会議名称
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開催地
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英文:東京大学 

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