Photoluminescence properties of ZnO epitaxial layers grown on lattice-matched ScAlMgO<sub>4</sub> substrates

T. Makino; K. Tamura; C. H. Chia; Y. Segawa; M. Kawasaki; A. Ohtomo; H. Koinuma

doi:10.1063/1.1519336

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Photoluminescence properties of ZnO epitaxial layers grown on lattice-matched ScAlMgO₄ substrates

著者

和文:	牧野哲征, 田村謙太郎, Chia Chin Hau, 瀬川勇三朗, 川崎雅司, 大友明, 鯉沼秀臣.
英文:	T. Makino, K. Tamura, C. H. Chia, Y. Segawa, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 92 No. 12 pp. 7157-7159

出版年月

2002年12月

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文:

ファイル

公式リンク

<Go to ISI>://000179495100029

DOI

https://doi.org/10.1063/1.1519336

アブストラクト

Photoluminescence (PL) properties of ZnO films grown epitaxially on lattice-matched ScAlMgO4 substrates are investigated. PL spectra of ZnO layers measured at 5 K are dominated by neutral-acceptor bound exciton emission at 3.359 eV (I-6) with a linewidth of 0.8 meV. Free exciton emission develops as temperature is raised and eventually dominates at temperatures higher than 120 K. Temperature dependence of intensity of the free exciton emission is discussed.

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