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論文・著書情報


タイトル
和文:Al2O3ゲート絶縁膜を用いたInP/InGaAsチャネル n-MOSFETの電気特 
英文: 
著者
和文: 寺尾良輔, 金澤 徹, 齋藤尚史, 若林和也, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁.  
英文: Ryousuke Terao, Toru Kanazawa, Hisashi Saito, kazuya wakabayashi, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2010年3月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第57回応用物理学関係連合研究会 
英文: 
開催地
和文:神奈川 
英文: 

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