RF Performance Improvement of Metamorphic High-Electron Mobility Transistor Using (InxGa1 - xAs)m/(InAs)n Superlattice-Channel Structure for Millimeter-Wave Applications

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	RF Performance Improvement of Metamorphic High-Electron Mobility Transistor Using (InxGa1 - xAs)m/(InAs)n Superlattice-Channel Structure for Millimeter-Wave Applications

著者

和文:	C-I. Kuo, H-T. Hsu, Y-L. Chen, C-Y. Wu, E. Y. Chang, 宮本恭幸, W-C. Tsern, K. C. Sahoo.
英文:	C-I. Kuo, H-T. Hsu, Y-L. Chen, C-Y. Wu, E. Y. Chang, Y. Miyamoto, W-C. Tsern, K. C. Sahoo.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEEE Electron Device Letters

巻, 号, ページ

vol. 31 no. 7 pp. 677-679

出版年月

2010年7月

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:
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DOI