Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Submicron InP/InGaAs Composite-Channel Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor with Selectively Regrown n+-Source

著者

和文:	金澤徹, 若林和也, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Toru Kanazawa, kazuya wakabayashi, Hisashi Saito, Ryousuke Terao, Shunsuke Ikeda, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Express

巻, 号, ページ

Vol. 3 No. 9 094201

出版年月

2010年9月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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