Intrinsic carrier mobility in amorphous InGaZnO thin-film transistors determined by combined field-effect technique

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Intrinsic carrier mobility in amorphous InGaZnO thin-film transistors determined by combined field-effect technique

著者

和文:	Mutsumi Kimura, 神谷利夫, Takashi Nakanishi, 野村研二, 細野秀雄.
英文:	Mutsumi Kimura, Toshio Kamiya, Takashi Nakanishi, Kenji Nomura, Hideo Hosono.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	APPLIED PHYSICS LETTERS

巻, 号, ページ

vol. 96 p. 262105

出版年月

2010年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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DOI