English
Home
各種検索
研究業績検索
論文・著書検索
( 詳細検索 )
特許検索
( 詳細検索 )
研究ハイライト検索
( 詳細検索 )
研究者検索
組織・担当から絞り込む
サポート
よくあるご質問(FAQ)
T2R2登録申請
学位論文登録について
組織単位データ出力について
(学内限定)
サポート・問合せ
T2R2について
T2R2とは?
運用指針
リーフレット
本文ファイルの公開について
関連リンク
東京工業大学
東京工業大学STARサーチ
国立情報学研究所(学術機関リポジトリ構築連携支援事業)
Home
>
ヘルプ
論文・著書情報
タイトル
和文:
Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET
英文:
Submicron InP/InGaAs channel n-MOSFET with regrown InGaAs and Al2O3 gate dielectric
著者
和文:
寺尾良輔
,
金澤徹
,
池田俊介
,
米内義晴
,
加藤淳
,
宮本恭幸
.
英文:
Ryousuke Terao
,
Toru Kanazawa
,
Shunsuke Ikeda
,
Yosiharu Yonai
,
atsushi kato
,
YASUYUKI MIYAMOTO
.
言語
Japanese
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
出版年月
2010年9月
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
第71回応用物理学会学術講演会
英文:
開催地
和文:
長崎
英文:
©2007
Tokyo Institute of Technology All rights reserved.