Stable Readout Circuit for Ferroelectric Random Access Memory Using Complementary Metal?Oxide?Semiconductor-Inverter-Based Capacitive-Feedback Charge-Integration Scheme

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Stable Readout Circuit for Ferroelectric Random Access Memory Using Complementary Metal?Oxide?Semiconductor-Inverter-Based Capacitive-Feedback Charge-Integration Scheme

著者

和文:	小谷光司, 越本洋平, 伊藤隆司.
英文:	Koji Kotani, Yohei Koshimoto, Takashi Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanease Journal of Applied Phisics (JJAP)

巻, 号, ページ

Vol. 49 pp. 04DE10-1-5

出版年月

2010年4月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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