高温窒化処理とAl2O3堆積膜を用いた４H-SiC MOSFETの作製と評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	高温窒化処理とAl2O3堆積膜を用いた４H-SiC MOSFETの作製と評価
英文:	Fabrication and Characterization of 4H-SiC MOSFETs with high-temperature nitridation and deposited Al2O3 film

著者

和文:	石黒暁夫, 山田泰之, 日野史郎, 三浦成久, 大森達夫, 徳光永輔.
英文:	Akio Ishiguro, Yasuyuki Yamada, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, EISUKE TOKUMITSU.

言語

Japanese

掲載誌/書名

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巻, 号, ページ

出版年月

2010年10月

出版者

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会議名称

和文:	SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会第１９回講演会
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開催地

和文:	つくば国際会議場（エポカルつくば）
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