Impact of interface controlling layer of Al2O3 for improving the retention behaviors of In-Ga-Zn ocide-based ferroelectric memory transistor

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Impact of interface controlling layer of Al2O3 for improving the retention behaviors of In-Ga-Zn ocide-based ferroelectric memory transistor

著者

和文:	尹聖民, Shin-Hyuk Yang, Soon-Won Jung, Chun-Won Byun, Sang-Hee Ko Park, Chi-Sun Hwang, Lee Gwang Geun, 徳光永輔, 石原宏.
英文:	Sung-Min Yoon, Shin-Hyuk Yang, Soon-Won Jung, Chun-Won Byun, Sang-Hee Ko Park, Chi-Sun Hwang, Gwang-Geun Lee, Eisuke Tokumitsu, Hiroshi Ishiwara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Applied Physics Letters

巻, 号, ページ

No. 96 232903 1-3

出版年月

2010年5月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: