MOCVD 法によるSi 基板上及びGaP 基板上InAs 量子ドットの成長特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOCVD 法によるSi 基板上及びGaP 基板上InAs 量子ドットの成長特性
英文:	Growth characteristics of InAs QDs on Si and GaP grown by MOCVD

著者

和文:	田辺悟, 西尾礼, 鈴木亮一郎, 根本幸祐, 宮本智之.
英文:	Satoru Tanabe, Rei Nishio, Ryoichiro Suzuki, Kosuke Nemoto, Tomoyuki Miyamoto.

言語

Japanese

掲載誌/書名

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巻, 号, ページ

出版年月

2010年7月

出版者

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会議名称

和文:	第29回電子材料シンポジウム (EMS-29)
英文:	29th Electronic Materials Symposium (EMS-29)

開催地

和文:	静岡
英文:	Shizuoka