Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討

論文・著書情報

タイトル

和文:	Si基板上へのGaNP層及びInAs系量子ドット成長の検討
英文:	Growth characteristics of GaNP layer and InAs-based QDs on Si substrate

著者

和文:	田辺悟, 西尾礼, 小林由貴, 根本幸祐, 宮本智之.
英文:	Satoru Tanabe, Rei Nishio, Yoshitaka Kobayashi, Kosuke Nemoto, Tomoyuki Miyamoto.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2010年11月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	電子情報通信学会レーザ・量子エレクトロニクス研究会(LQE)
英文:	IEICE-LQE2010-101

開催地

和文:	大阪
英文:	Osaka