Functional gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultralow power operation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Functional gate metal-oxide-semiconductor field-effect transistors using tunnel injection/ejection of trap charges enabling self-adjustable threshold voltage for ultralow power operation

著者

和文:	中島安理, 工藤貴史, 伊藤隆司.
英文:	Anri Nakajima, Takashi Kudo, Takashi Ito.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Appl. Phys. Lett.

巻, 号, ページ

Vol. 98 Issue 5 pp. 053501-1-3

出版年月

2011年1月

出版者

和文:
英文:	American Institute of Physics

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

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