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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:FABRICATION OF GRAPHEN CHANNEL TRANSISTOR WITH HEAVILY DOPED SiC SOURCE/DRAIN REGIONS 
著者
和文: 永久 雄一, 徳光 永輔.  
英文: Y. Nagahisa, E. Tokumitsu.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2010年10月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:2011 International Symposium on Graphene Devices (ISGD) 
開催地
和文:仙台 
英文: 

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