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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Improving electrical characteristics of W/HfO2/Ino.53Gao.47As gate stacks by altering deposition techniques 
著者
和文: ダリューシュザデ, 角嶋邦之, 神田高志, Y.C.Lin, パールハットアヘメト, 筒井一生, 西山彰, 杉井信之, E.Y.Chang, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: ダリューシュザデ, Kuniyuki KAKUSHIMA, Takashi Kanda, Y.C.Lin, Ahmet Parhat, KAZUO TSUTSUI, 西山彰, Nobuyuki Sugii, E.Y.Chang, KENJI NATORI, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Microelectronic Engineering 
巻, 号, ページ Vol. 88    No. 7    pp. 1109-1112
出版年月 2011年7月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文: 
開催地
和文: 
英文: 
DOI https://doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.068

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