MOVPE-regrown source/drain regions for III-V MOSFETs with high drain current of 1.28 A/mm

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	MOVPE-regrown source/drain regions for III-V MOSFETs with high drain current of 1.28 A/mm

著者

和文:	金澤徹, 寺尾良輔, 池田俊介, 宮本恭幸.
英文:	T. Kanazawa, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年9月14日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	23rd Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011)

開催地

和文:
英文:	Berlin

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