Advantages of Silicon Nanowire MOSFETs over Planar MOSFETs Investigated from the Aspect of Drain-Current Noise

論文・著書情報

タイトル

和文:	Advantages of Silicon Nanowire MOSFETs over Planar MOSFETs Investigated from the Aspect of Drain-Current Noise
英文:

著者

和文:	フェンウェイ, ヘッティアーラッチ・ランガ, 佐藤創志, 角嶋邦之, M.Niwa, 岩井洋, 山田啓作, 大毛利健二.
英文:	フェンウェイ, ヘッティアーラッチ・ランガ, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, M.Niwa, HIROSHI IWAI, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2011年

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第72回応用物理学会学術講演会
英文:

開催地

和文:	山形県
英文: