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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Highly stable amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors produced by eliminating deep subgap defects 
著者
和文: 野村 研二, 神谷 利夫, 細野 秀雄.  
英文: Kenji Nomura, Toshio Kamiya, Hideo Hosono.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Appl. Phys. Lett., 
巻, 号, ページ Vol. 99    No. 053505    pp. 1 - 3
出版年月 2011年 
出版者
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会議名称
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開催地
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DOI https://doi.org/10.1063/1.3622121

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