Al2O3/4H-SiC MOSFETs Fabricated with High-Temperature Nitridation Process

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Al2O3/4H-SiC MOSFETs Fabricated with High-Temperature Nitridation Process

著者

和文:	徳光永輔, 石黒暁夫, 山田泰之, 日野史郎, 三浦成久, 今泉昌之, 住谷ひろあき, 大森達夫.
英文:	Eisuke Tokumitsu, Akio Ishiguro, Hiroyuki Yamada, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi, Hiroaki Sumitani, Tatsuo Oomori.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 320

出版年月

2011年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011)

開催地

和文:
英文:	Clevelend, Ohio