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論文・著書情報
タイトル
和文:
英文:
Al2O3/4H-SiC MOSFETs Fabricated with High-Temperature Nitridation Process
著者
和文:
徳光 永輔
,
石黒 暁夫
,
山田 泰之
,
日野 史郎
,
三浦 成久
,
今泉 昌之
,
住谷 ひろあき
,
大森 達夫
.
英文:
Eisuke Tokumitsu
,
Akio Ishiguro
,
Hiroyuki Yamada
,
Shiro Hino
,
Naruhisa Miura
,
Masayuki Imaizumi
,
Hiroaki Sumitani
,
Tatsuo Oomori
.
言語
English
掲載誌/書名
和文:
英文:
巻, 号, ページ
pp. 320
出版年月
2011年9月
出版者
和文:
英文:
会議名称
和文:
英文:
2011 International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 2011)
開催地
和文:
英文:
Clevelend, Ohio
©2007
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