Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	Al2O3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価
英文:

著者

和文:	山田泰之, 石黒暁夫, 日野史郎, 三浦成久, 今泉昌之, 岸谷博昭, 徳光永輔.
英文:	Hiroyuki Yamada, Akio Ishiguro, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Masayuki Imaizumi, 岸谷博昭, EISUKE TOKUMITSU.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	信学技報
英文:	IEICE Technical Report SDM2011-52(2011-7)

巻, 号, ページ

pp. 11-15

出版年月

2011年7月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:	応用物理学会シリコンテクノロジー分科会第１37回研究集会、電子情報通信学会シリコン材料デバイス研究会
英文:

開催地

和文:
英文: