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論文・著書情報


タイトル
和文:高温窒化処理とAl2O3堆積膜を用いた4H-SiC MOSFETの作製と評価 
英文: 
著者
和文: 石黒暁夫, 山田泰之, 日野史郎, 三浦 成久, 大森 達夫, 徳光永輔.  
英文: Akio Ishiguro, Yasuyuki Yamada, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori, EISUKE TOKUMITSU.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2011年3月25日 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:第58回応用物理学関係連合講演会 
英文: 
開催地
和文: 
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