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論文・著書情報


タイトル
和文:MOCVD法によるSiC上へのHfO2膜の堆積とHfO2/SiO2/4H-SiC MOSFETの作製 
英文: 
著者
和文: 山村勇速, 徳光永輔, 日野史郎, 三浦 成久, 大森 達夫.  
英文: Isahaya Yamamura, EISUKE TOKUMITSU, Shiro Hino, Naruhisa Miura, Tatsuo Oomori.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2011年3月 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:第58回応用物理学関係連合講演会 
英文: 
開催地
和文: 
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