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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Experimental Evidence of Increased Deformation Potential at MOS Interface and its Impact on Characteristics of ETSOI FETs 
著者
和文: 大橋 輝之, 高橋 綱己, 別府 伸耕, 小田 俊理, 内田 建.  
英文: T. Ohashi, T. Takahashi, N. Beppu, S. Oda, K. Uchida.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ     No. 16.4   
出版年月 2011年12月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:IEDM2011 
開催地
和文: 
英文:Washington DC 

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