Fabrication of High-Quality Co2FeSi/SiOxNy/Si(100) Tunnel Contacts Using Radical-Oxynitridation-Formed SiOxNy Barrier for Si-Based Spin Transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of High-Quality Co2FeSi/SiOxNy/Si(100) Tunnel Contacts Using Radical-Oxynitridation-Formed SiOxNy Barrier for Si-Based Spin Transistors

著者

和文:	高村陽太, 林建吾, 周藤悠介, 中根了昌, 菅原聡.
英文:	Y. Takamura, K. Hayashi, Y. Shuto, R. Nakane, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Electron. Mater.

巻, 号, ページ

vol. 41 no. 5 pp. 954-958

出版年月

2012年4月

出版者

和文:
英文:	Springer

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文:

DOI